飞行时间二次离子质谱仪 PHI nanoTOF3+ 

特征

先进的多功能TOF-SIMS具有更强大的微区分析能力，更加出色的分析精度 

飞行时间二次离子质谱仪

新一代 TRIFT 质量分析器，更好的质量分辨率 

适用于绝缘材料的无人值守自动化多样品分析 

离子束技术 

平行成像 MS/MS 功能，助力有机大分子结构分析 

多功能选配附件

TRIFT分析器适用于各种形状的样品 宽带通能量+宽立体接收角度

宽带通能量、宽立体接受角-适用于各种形貌样品分析

主离子束激发的二次离子会以不同角度和能量从样品表面飞 出，特别是对于有高度差异和形貌不规则的样品，即使相同 的二次离子在分析器中会存在飞行时间上的差异，因此导致 质量分辨率变差，并对谱峰形状和背景产生影响。 TRIFT质量分析器可以同时对二次离子发射角度和能量进行 校正， 保证相同二次离子的飞行时间一致， 所以TRIFT兼顾 了高质量分辨率和高检测灵敏度优势，而且对于不平整样品 的成像可以减少阴影效应。

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实现高精度分析的一次离子设备

先进的离子束技术实现更高质量分辨

PHI nanoTOF3+ 能够提供高质量分辨和高空间分辨的TOF-SIMS分析:在高质量分辨模式下，其空间分辨率优于500nm ;在高空间分辨模式下，其空间分辨模式优于50 nm。通过结合强度高离子源、高精度脉冲组件和精品麻豆乱伦视频率质量分析器，可以实现低噪声、高灵敏度和高质量分辨率的测量;在这两种模式下，只需几分钟的测试时间，均可完成采谱分析。

前所未见的无人值守TOF-SIMS自动化多样品分析 -适用于绝缘材料

PHI nanoTOF3+搭载全新开发的自动化多样品分析功能，程序可根据 样品导电性自动调整分析时所需的高度与样品台偏压， 可以对包括 绝缘材料在内的各类样品进行无人值守自动化TOF-SIMS分析。 整个分析过程非常简单， 只需三步即可对多个样品进行表面或深度 分析 ：①在进样室拍摄样品台照片 ；②在进样室拍摄的照片上分析点 ；③按下分析键，设备自动开始分析。 过去，必须有熟练的操作人员专门操作仪器才能进行TOF-SIMS分析 ； 现在，无论操作人员是否熟练，都可以获得高质量的分析数据

标配自动化传样系统

PHI nanoTOF3+配置了在XPS上表现优异的全自动样品传送系 统 ：样品尺寸可达100mmx100 mm， 而且分析室标配内置 样品托停放装置 ；结合分析序列编辑器（Queue Editor），可以实现对大量样品的全自动连续测试。

采用新开发的脉冲氲离子设备获得证书的自动荷电双束中和技术

TOF-SIMS测试的大部分样品为绝缘样品，而绝缘样品表面 通常有荷电效应。PHI nanoTOF3+ 采用自动荷电双束中和 技术，通过同时发射低能量电子束和低能量氲离子束，可实现对任何类型和各种形貌的绝缘材料的真正自动荷电中和，无需额外的人为操作。 

*需要选配Ar离子设备

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远程访问实现远程控制仪器

PHI nanoTOF3+允许通过局域网或互联网访问仪器。 只需将样品台放入进样室， 就可以对进样、换样、测试和分析等所有操作进行远程控制。精品无人码麻豆乱码1区2区的专业人员可以对仪器进行远程诊断。

*如需远程诊断，请联系精品无人码麻豆乱码1区2区的客户服务人员。‍

从截面加工到截面分析： 只需一个离子源即可完成

标配离子设备FIB(Focused lon Beam)功能

在PHI nanoTOF3+中， 液态金属离子具设备备 FIB功能， 可以使用单个离子设备对样品进行 横截面加工和横截面TOF-SIMS分析。通过操 作计算机， 可以快速轻松地完成从FIB处理 到TOF-SIMS分析的全过程。此外，可在冷却 条件下进行FIB加工。 

在选配Ga源进行FIB加工时，可以获得FIB加 工区域的3D影像 ；Ga源还可以作为第二分析 源进行TOF-SIMS分析。

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通过平行成像MS/MS进行 分子结构分析[选配]

MS/MS平行成像 同时采集MS1/MS2数据

在TOF-SIMS测试中，MS1质量分析分析器接收从样品表面 产生的所有二次离子碎片，对于质量数接近的大分子离子， MS1谱图难以区分。通过安装串联质谱MS2，对于特定离子 进行碰撞诱导解离生产特征离子碎片，MS2谱图可以实现 对分子结构的进一步鉴定。

PHI nanoTOF3+具备串联质谱MS/MS平行成像功能， 可以同时获取分析区域的MS1和MS2数据，为有机大分子结构解析提供了强有力的工具。

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多样化配置充分发挥TOF-SIMS潜力

可拆卸手套箱：可安装在样品导入室

可以选配直接连接到样品进样室的可拆卸手套箱。 锂离子电池和有机 OLED等容易与大气发生反应的样品可以直接安装在样品台上。此外，在 冷却分析后更换样品时，可以防止样品表面结霜。

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氩团簇离子源（Ar-GCIB）：有机材料深度剖析

使用氩团簇离子源(Ar-GCIB)能够有效减少溅射过程中对有机材料的破坏，从而在刻蚀过程中保留有机大分子结构信息。

Cs源和Ar/O2源：无机材料深度剖析

可根据测试需求选择不同的离子源提高二次离子产额，使用Cs源可增强负离子产额 ；O2源可增强正 离子产额